共被列為當沖觀察 15 次，區間 2026-06-29 ～ 2026-08-10
方向分布
歷次觀察
當沖具高度風險，投資前請自行評估，盈虧自負。「開→收」為當日開盤→收盤的差值比（當沖進場→出場視角），非今日漲跌幅；與看盤軟體對「昨收」比較的漲跌%不同。
| 日期 | 當日# | 方向 | 風險 | 開→收 | 觀察理由 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2026-08-10 | 4 | 偏多 | 中 | — | 8/7 當沖成交量第三名 99,233 張，DRAM 供需吃緊台積電亦受影響，記憶體報價看漲有利營收動能 |
| 2026-08-07 | 3 | 震盪 | 高 | ▼ -3.82% 不計 | Q2 EPS 5.40 元創新高，DDR4 缺貨漲價邏輯確立，但外資 8/6 賣超 18,757 張，短線籌碼震盪 |
| 2026-08-04 | 4 | 偏多 | 中 | ▲ +8.28% 命中 | 記憶體漲價題材發酵，三星限跌長約策略支撐價格，蘋果供應鏈股漲幅前三，法人買超動能強 |
| 2026-07-31 | 4 | 偏多 | 中 | ─ 0.00% 未中 | 外資大買 36,320 張，記憶體漲價週期延續，MLCC 漲價潮帶動被動元件與記憶體族群 |
| 2026-07-30 | 6 | 震盪 | 高 | ▼ -4.05% 不計 | 連 3 日跌停後收 130 元跌 9.72%，外資連 3 賣但融券大增券資比 7.38%，若記憶體族群止跌可能引發軋空行情 |
| 2026-07-29 | 10 | 偏空 | 高 | ▼ -5.11% 命中 | 7/28 跌停鎖死，投信賣超 2760 張、外資賣超 1.8 萬張，但記憶體族群連日重挫後可能出現技術性跌深反彈，波動劇烈適合高風險當沖 |
| 2026-07-22 | 9 | 偏多 | 中 | ▲ +3.64% 命中 | 記憶體漲價趨勢明確，美光暴漲帶動記憶體族群，華邦電具 DRAM 與 NOR Flash 雙題材，跌深後有補漲機會 |
| 2026-07-16 | 3 | 偏多 | 中 | ▼ -2.27% 未中 | 15 日漲停鎖死，記憶體族群在美光及 SK 海力士大漲激勵下全面轉強，外資看好百元級親民股，AI 記憶體需求持續強勁帶動營運展望 |
| 2026-07-14 | 9 | 偏空 | 高 | ▼ -3.24% 命中 | SK 海力士暴跌 15% 拖累記憶體族群，7/13 重跌逾 5%，外資調節賣壓沉重，短線續弱 |
| 2026-07-13 | 3 | 偏多 | 中 | ▼ -7.99% 未中 | 同受 SK 海力士掛牌行情帶動，7/9 盤中勁揚逾 8%，NOR Flash 及 DRAM 雙題材，成交量能充沛有利當沖 |
| 2026-07-07 | 6 | 偏多 | 中 | ▼ -5.43% 未中 | 記憶體族群強勢代表，7/6 早盤漲逾 8%，外資調升目標價至 255 元，DRAM 及特殊型快閃記憶體雙題材，股價 186 元，當沖成交量穩定 |
| 2026-07-06 | 6 | 偏多 | 中 | ▼ -4.19% 未中 | 上周五成交金額第五大達 248.58 億元，大摩評等「優於大盤」，NAND 供給缺口持續至 2027 年，記憶體長約支撐 |
| 2026-07-03 | 4 | 震盪 | 中 | ▲ +2.22% 不計 | 外資逆勢買超 4.13 萬張最多，但投信倒貨 3.53 萬張形成對作，收 183.5 元振幅大，NOR Flash 短缺題材發酵，開盤觀察外資買盤是否延續 |
| 2026-06-30 | 5 | 震盪 | 中 | ▼ -0.72% 不計 | 成交量與成交值雙榜前十，記憶體族群漲跌互見下波動大，外資買超華邦電但賣超力積電，法人操作不同調創造日內價差空間 |
| 2026-06-29 | 6 | 偏多 | 中 | ▼ -2.87% 未中 | 6/26 當沖量排行第六，記憶體族群隨美光 HBM 超級週期基本面支撐，融資大減 200 億後籌碼沉澱，股價位於 20 至 50 元當沖活躍區 |