共被列為當沖觀察 13 次，區間 2026-07-06 ～ 2026-08-10
方向分布
歷次觀察
當沖具高度風險，投資前請自行評估，盈虧自負。「開→收」為當日開盤→收盤的差值比（當沖進場→出場視角），非今日漲跌幅；與看盤軟體對「昨收」比較的漲跌%不同。
| 日期 | 當日# | 方向 | 風險 | 開→收 | 觀察理由 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2026-08-10 | 8 | 偏多 | 中 | — | DRAM 供需吃緊台積電 2nm 封裝亦受影響，記憶體報價回升趨勢明確，HBM 需求外溢至標準型 DRAM |
| 2026-08-07 | 7 | 偏多 | 中 | ▲ +0.11% 命中 | 外資 8/6 買超 9,183 張，DDR4 合約價 Q3 逾 30 美元創高，記憶體漲價直接受惠，華邦電財報利多外溢 |
| 2026-08-04 | 5 | 偏多 | 中 | ▲ +9.00% 命中 | DRAM 價格續強，三星限跌策略有利記憶體廠獲利，蘋果供應鏈股漲幅前三，跌深反彈空間大 |
| 2026-07-27 | 9 | 震盪 | 高 | ▲ +8.59% 不計 | SK 海力士 7/29 財報公布前記憶體題材升溫，NAND 供給緊缺格局不變，但外資 7/24 賣超 13346 張 |
| 2026-07-24 | 10 | 震盪 | 中 | ▼ -4.07% 不計 | 記憶體報價回升趨勢確立，英特爾財報優於預期帶動資料中心需求展望正向。7/23 外資買超，股價處相對低檔。今日大盤重挫下記憶體族群可能隨勢開低，但基本面改善提供下檔支撐，振幅可期。 |
| 2026-07-23 | 10 | 震盪 | 中 | ▼ -5.75% 不計 | 7/22 漲停收 445.5 元，記憶體族群全面反彈，但盤中一度打開漲停遭遇解套賣壓，今日震盪機率高 |
| 2026-07-22 | 3 | 偏多 | 中 | ▲ +2.41% 命中 | 美光暴漲 12% 加上大摩看好 DRAM Q3 再漲 25%，記憶體供需失衡延續至 2028 年，跌深記憶體股具補漲空間 |
| 2026-07-20 | 10 | 震盪 | 高 | ▼ -3.79% 不計 | 7/17 跌停收 395.5 元，記憶體族群短期跌幅最深。鎧俠市值腰斬反映記憶體漲勢過熱疑慮，但 DRAM 現貨價仍在高檔，跌停打開後短線有技術性反彈空間 |
| 2026-07-17 | 5 | 震盪 | 高 | ▼ -1.25% 不計 | SK 海力士 ADR 暴跌 13% 拖累記憶體族群，7/16 跌逾 8% 且外資大賣，今日恐續跌但超跌後短線反彈可期，適合搶短 |
| 2026-07-16 | 2 | 偏多 | 中 | ▼ -5.18% 未中 | SK 海力士 ADR 飆漲 27% 帶動記憶體族群全面反攻，15 日當沖成交量上市第一達 104,254 張，外資及投信同步偏多，AI 記憶體供需喫緊延續漲價循環 |
| 2026-07-13 | 2 | 偏多 | 中 | ▼ -9.32% 未中 | SK 海力士 ADR 掛牌首日飆漲 12.76%，記憶體短缺可能持續到 2030 年，7/9 已漲停鎖住，補漲行情下有望續強 |
| 2026-07-07 | 7 | 偏多 | 中 | ▼ -4.73% 未中 | 記憶體指標股，HBM 需求爆發帶動 DRAM 供需緊俏，SK 海力士 ADR 上市具比價效應，外資調升目標價，7/6 成交值全市場第三，當沖動能強 |
| 2026-07-06 | 9 | 震盪 | 高 | ▼ -1.75% 不計 | 7/10 法說會接棒登場，DRAM 記憶體族群受惠 AI 需求，DDR4 EOL 及 SOCAMM 新規格題材，法說前短線有交易機會 |